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【判断题】

以下说法正确吗。Q4:MacEtch技术在刻蚀Si和GaN 的纳米结构的应用上, 能达到的最小的横向分辨率分别是多少?A4:我们可以用光刻(optical lithography),电子束光刻(EBL,e-beam lithography)甚至可以用扫描透射电子显微术(STEM, scanning transmission electron microscope)来沉积单个原子或者原子线图形,我们也在探索,我们最小能做到什么尺寸。当前的话,最小的结构是利用EBL沉积金属图案获得的5 nm的纳米结构。( )

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举一反三

【单选题】单个原子所具有的能量的特点是()

A.
能量可以任意取值
B.
能量只能取一些分立的值
C.
能量的大小主要由电子的角动量确定
D.
能量取值不受外加电场或磁场的影响

【单选题】与其他光刻技术相比,下列哪项不是电子束光刻的优点?

A.
光刻分辨率高
B.
精度低但具有很高的生产能力
C.
不需要掩膜板,很灵活
D.
适合特殊要求的制备生产
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【单选题】与其他光刻技术相比,下列哪项不是电子束光刻的优点?
A.
光刻分辨率高
B.
精度低但具有很高的生产能力
C.
不需要掩膜板,很灵活
D.
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