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【判断题】
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关
A.
正确
B.
错误
题目标签:
阈值电压
杂质浓度
绝缘栅
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参考答案:
举一反三
【单选题】滞回电压比较器有( )个阈值电压。
A.
0
B.
1
C.
2
D.
3
查看完整题目与答案
【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】在场效应管直流电路模型中,绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是();结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是()。【图片】
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部分四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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危货押运员>城轨检修师考试考试题目
【判断题】滞回比较器和窗口比较器的阈值电压数目相同。( )
A.
正确
B.
错误
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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A.
0
B.
1
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A.
正确
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
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C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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A.
正确
B.
错误
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A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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危货押运员>城轨检修师考试考试题目
【判断题】滞回比较器和窗口比较器的阈值电压数目相同。( )
A.
正确
B.
错误
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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