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【判断题】
如果负载电容大, 则需加射随器隔离(即采用共射--共集级联), 有助于总频带展宽。
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】CMOS反相器的负载电容【图片】，功耗电容【图片】，电源电压【图片】，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 W
B.
1.09 W
C.
1.09 mW
D.
1.3 mW
【单选题】CMOS反相器的负载电容CL=100pF，功耗电容CPD=15pF，电源电压VDD=3.3V，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 mW
B.
1.3 W
C.
1.09 W
D.
1.09 mW
【单选题】假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。
A.
B.
C.
D.
【单选题】已知某CMOS反相器电源电压VDD=10V,静态电源电流IDD=4μA,负载电容CL=200pF,功耗电容CPD=20pF。输入信号为理想矩形波,重复频率为f=500kHz,则该电路静态功耗PS和动态功耗PD分别为( )
A.
0.04mW,1.1mW
B.
0.04mW,11mW
C.
0.4mW,1.1mW
D.
0.04mW,1.1mW
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1.09 W
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1.09 mW
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1.3 mW
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A.
1.3 mW
B.
1.3 W
C.
1.09 W
D.
1.09 mW
【单选题】假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。
A.
B.
C.
D.
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A.
0.04mW,1.1mW
B.
0.04mW,11mW
C.
0.4mW,1.1mW
D.
0.04mW,1.1mW
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