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【简答题】
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
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举一反三
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【多选题】对深宽比大于1的接触孔淀积薄膜,为使接触孔各处的薄膜厚度均匀,可采取的方法有:
A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
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E.
电容
【多选题】对深宽比大于1的接触孔淀积薄膜,为使接触孔各处的薄膜厚度均匀,可采取的方法有:
A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
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