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【简答题】

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

题目标签：淀积蒸发法淀积薄膜
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参考答案：
举一反三

【多选题】尿素溶液蒸发采用真空蒸发法的主要原因是()。
A.
节能
B.
安全
C.
防副反应
D.
防结晶
查看完整题目与答案

【简答题】sio2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
查看完整题目与答案

【简答题】简述溶剂蒸发法的优点。
查看完整题目与答案

【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
查看完整题目与答案

【简答题】简述淀积膜的过程的三种不同阶段
查看完整题目与答案

【多选题】根据对蒸发法的了解,以下哪些蒸发源更适合用于高熔点材料蒸发?
A.
电阻式蒸发源
B.
电子束蒸发源
C.
高频感应蒸发源
D.
激光蒸发源
查看完整题目与答案

【简答题】假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
查看完整题目与答案

【简答题】真空蒸发法有什么优点?
查看完整题目与答案

【单选题】溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.
电子
B.
中性粒子
C.
高能离子
D.
负离子
查看完整题目与答案

【简答题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
查看完整题目与答案

【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
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集成电路制造工艺员>集成电路制造工艺员（三级）考试题目

【简答题】水中总α放射性测定一般用蒸发法，其优点是什么？
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【多选题】对深宽比大于1的接触孔淀积薄膜,为使接触孔各处的薄膜厚度均匀,可采取的方法有:
A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
查看完整题目与答案

【单选题】下列关于真空蒸发法和溅射法镀膜对比叙述正确的是()
A.
溅射法沉积原子的能量通常更高
B.
真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好
C.
溅射的靶材不能是极难熔的材料
D.
制备合金薄膜时,利用蒸发法其成分的控制性能更好
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【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
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【简答题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
查看完整题目与答案

【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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【简答题】热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
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半导体芯片制造工>半导体制造技术考试题目

【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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半导体芯片制造工>半导体芯片制造高级工考试题目

【单选题】​通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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自由应力
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纯净度
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A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
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A.
溅射法沉积原子的能量通常更高
B.
真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好
C.
溅射的靶材不能是极难熔的材料
D.
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A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
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A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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