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【简答题】

运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为 20W/cm2，该电阻上的压降为5V，设计此电阻。

题目标签：耗散功率扩散电阻方块电阻
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参考答案：
举一反三

【判断题】导线的方块电阻跟工艺有关,跟导线的尺寸无关
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
四探针法
B.
热探针法
C.
磨角染色法
D.
滚槽法
查看完整题目与答案

【填空题】大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。
查看完整题目与答案
电子与通信技术>电子电路考试题目

【多选题】整管方块电阻太低原因（）。
A.
沉积时间过长
B.
沉积温度过高
C.
推进时间太长
D.
推进温度太高
查看完整题目与答案

【简答题】方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越（），反之，电阻越（）。
查看完整题目与答案

【简答题】若要降低透明导电玻璃的方块电阻，应：
查看完整题目与答案

【单选题】方块电阻与电阻率（   ）关系。
A.
没有
B.
呈正相关
C.
呈负相关
D.
以上都错
查看完整题目与答案

【判断题】影响方块电阻的因素是：时间、温度、小氮流量。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】大功率晶体管简称()，通常指耗散功率()以上的晶体管。
查看完整题目与答案
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A.
正确
B.
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A.
四探针法
B.
热探针法
C.
磨角染色法
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A.
沉积时间过长
B.
沉积温度过高
C.
推进时间太长
D.
推进温度太高
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【简答题】若要降低透明导电玻璃的方块电阻，应：
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【单选题】方块电阻与电阻率（   ）关系。
A.
没有
B.
呈正相关
C.
呈负相关
D.
以上都错
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【判断题】影响方块电阻的因素是：时间、温度、小氮流量。
A.
正确
B.
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