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【单选题】

N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )

A.
小于
B.
等于
C.
不确定
D.
大于
题目标签：自由电子浓度电子浓度型半导体
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参考答案：
举一反三

【单选题】P型半导体中往往存在( )陷阱
A.
空穴
B.
多子
C.
声子
D.
电子
查看完整题目与答案

【单选题】​n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。​
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
查看完整题目与答案

【单选题】在P型半导体中_______。
A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
查看完整题目与答案

【判断题】二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么叫N型半导体? 什么叫P型半导体?
查看完整题目与答案

【单选题】P型半导体靠()导电
A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
查看完整题目与答案

【简答题】P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 。
查看完整题目与答案

【单选题】N 型半导体又称为什么 半导体
A.
电子型
B.
空穴型
C.
质子型
查看完整题目与答案

【多选题】下列材料属于N型半导体的是（）。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）
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【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
查看完整题目与答案

【简答题】N型半导体中的多子为 ,P型半导体中的多子为 。
查看完整题目与答案

【单选题】双极型半导体器件是（）
A.
二极管
B.
三极管
C.
场效应管
D.
稳压管
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【单选题】P型半导体中的少子是( )。
A.
空穴
B.
自由电子
C.
杂质正离子
D.
杂质负离子
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【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.
查看完整题目与答案

【单选题】单极型半导体器件是（ ）
A.
二极管
B.
双极性二极管
C.
场效应管
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企事业内部考试类>其他考试试卷考试题目

【简答题】以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。
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【简答题】施主，N型半导体
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A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
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【单选题】在P型半导体中_______。
A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
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【判断题】二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
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A.
电子型
B.
空穴型
C.
质子型
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A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）
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A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
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【单选题】双极型半导体器件是（）
A.
二极管
B.
三极管
C.
场效应管
D.
稳压管
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A.
空穴
B.
自由电子
C.
杂质正离子
D.
杂质负离子
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【单选题】单极型半导体器件是（ ）
A.
二极管
B.
双极性二极管
C.
场效应管
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【简答题】以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。
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【简答题】施主，N型半导体
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