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【单选题】
Si中的杂质浓度在0.1cm内从 到 线性减小。样品横截面积为 ,电子扩散系数 。电子扩散电流为:
A.
0.018A
B.
0.18A
C.
-0.018A
D.
-0.18A
题目标签:
扩散电流
扩散系数
杂质浓度
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参考答案:
举一反三
【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
查看完整题目与答案
【简答题】在PN结不加外部电压时,扩散电流()漂移电流。
查看完整题目与答案
【单选题】某一矩形渠道,宽B=6.0m,水深h=0.5m,流速u=0.3m/s。渠道粗糙系数n=0.030,横向无量纲扩散系数αy=0.16,污水岸边排放,则LB为()m
A.
230.6
B.
289.2
C.
378.9
D.
231.6
查看完整题目与答案
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案
【多选题】轴向分散系数与扩散系数,下面论述正确的是()
A.
两者实质上是相同的,都符合Fick定律
B.
两者实质上是不同的,轴向分散系数的定义实际上是借用了Fick定律的形式
C.
轴向分散系数是与流动有关系的
D.
扩散系数是物质本身的一种属性
查看完整题目与答案
【多选题】在经典极谱分析中,平均极限扩散电流的大小与电极反应物质的浓度( )。
A.
成正比
B.
符合能斯特方程
C.
的对数成正比
D.
符合尤考维奇公式
查看完整题目与答案
【单选题】两个容量瓶,分别标记为a、b,在a容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为10 µA,在b容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,再加0.005mol/L Cd2+标准溶液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为15 µA,则未知溶液中Cd2+的浓度为
A.
0.020
B.
0.010
C.
0.005
D.
0.0025
查看完整题目与答案
【单选题】影响扩散系数的因素较多,其中,()。
A.
溶质原子的熔点越高,其在固溶体中的扩散系数就越小;
B.
溶质原子在元素周期表中距离基体溶剂原子越近,其扩散系数就越大;
C.
FCC-Fe 的自扩散系数大于 BCC-Fe 的自扩散系数;
D.
以上都不对
查看完整题目与答案
【单选题】极限扩散电流与汞柱的关系是()
A.
i-h
B.
i-h1/2
C.
i-h2
D.
i与h无关系
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生化化工药品技能考试>仪器分析工(中级)考试题目
【单选题】载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
A.
漂移
B.
隧道
C.
扩散
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相关题目:
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A.
变宽
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【单选题】某一矩形渠道,宽B=6.0m,水深h=0.5m,流速u=0.3m/s。渠道粗糙系数n=0.030,横向无量纲扩散系数αy=0.16,污水岸边排放,则LB为()m
A.
230.6
B.
289.2
C.
378.9
D.
231.6
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A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
两者实质上是相同的,都符合Fick定律
B.
两者实质上是不同的,轴向分散系数的定义实际上是借用了Fick定律的形式
C.
轴向分散系数是与流动有关系的
D.
扩散系数是物质本身的一种属性
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【多选题】在经典极谱分析中,平均极限扩散电流的大小与电极反应物质的浓度( )。
A.
成正比
B.
符合能斯特方程
C.
的对数成正比
D.
符合尤考维奇公式
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【单选题】两个容量瓶,分别标记为a、b,在a容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为10 µA,在b容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,再加0.005mol/L Cd2+标准溶液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为15 µA,则未知溶液中Cd2+的浓度为
A.
0.020
B.
0.010
C.
0.005
D.
0.0025
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【单选题】影响扩散系数的因素较多,其中,()。
A.
溶质原子的熔点越高,其在固溶体中的扩散系数就越小;
B.
溶质原子在元素周期表中距离基体溶剂原子越近,其扩散系数就越大;
C.
FCC-Fe 的自扩散系数大于 BCC-Fe 的自扩散系数;
D.
以上都不对
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【单选题】极限扩散电流与汞柱的关系是()
A.
i-h
B.
i-h1/2
C.
i-h2
D.
i与h无关系
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生化化工药品技能考试>仪器分析工(中级)考试题目
【单选题】载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
A.
漂移
B.
隧道
C.
扩散
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