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【单选题】

下列关于真空蒸发法和溅射法镀膜对比叙述正确的是()

A.
溅射法沉积原子的能量通常更高
B.
真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好
C.
溅射的靶材不能是极难熔的材料
D.
制备合金薄膜时,利用蒸发法其成分的控制性能更好
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举一反三

【多选题】根据对蒸发法的了解,以下哪些蒸发源更适合用于高熔点材料蒸发?

A.
电阻式蒸发源
B.
电子束蒸发源
C.
高频感应蒸发源
D.
激光蒸发源

【单选题】关于真空蒸发表述正确的是( )

A.
基本过程为溅射、输运和沉积。
B.
输运过程中的主要作用因素为饱和蒸气压
C.
需要较高的真空度
D.
薄膜与基片的附着力大

【单选题】真空蒸发操作时,溶液的沸点( )。

A.
随所处压强的增加而升高
B.
随所处压强的增加而降低
C.
随所处压强的减小而降低
D.
随所处压强的减小而升高
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A.
基本过程为溅射、输运和沉积。
B.
输运过程中的主要作用因素为饱和蒸气压
C.
需要较高的真空度
D.
薄膜与基片的附着力大
【单选题】真空蒸发操作时,溶液的沸点( )。
A.
随所处压强的增加而升高
B.
随所处压强的增加而降低
C.
随所处压强的减小而降低
D.
随所处压强的减小而升高
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