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【简答题】
分批式液相外延法的独特优势为可进行 ,即在每次生长工艺前将高纯冶金级硅熔于坩埚中,而不使用电子级硅作为硅源材料。
题目标签:
液相外延
电子级
冶金级硅
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参考答案:
举一反三
【判断题】液相外延是从不饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy,LPE)。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延
查看完整题目与答案
【单选题】在高真空条件下,采用分子速外延、化学气相沉积、液相外延、金属有机化学气相沉积、化学束外延等方法,在晶体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的薄膜来,每层只有几个原子层厚,这样生长出来的材料叫
A.
晶体材料
B.
超导材料
C.
纳米材料
D.
超晶格材料
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【简答题】名词解释:杂质分凝、平衡分凝系数、溅射法、液相外延、气相外延
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【单选题】多晶硅薄膜的直接制备法主要有液相外延(LPE)法 和化学气相沉积(CVD)法,其中化学气相沉积法又包括等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 、低压化学气相沉积(LPCVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)等。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】冶金级硅的纯度为98%。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】纯度要求达到99.999999999%的电子级()终于量产。这标志着我国半导体集成电路用硅料已经达到国际一流质量标准,也是我国()制造企业首次向国际市场出口集成电路用高纯度硅料。
A.
多晶硅
B.
有机硅
C.
金属硅
D.
碳化硅
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【判断题】VPE是液相外延生产技术
A.
正确
B.
错误
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【判断题】冶金级硅的纯度为98%。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】液相外延技术的典型实验温度为700-900℃,薄膜生长速率为1nm/min数量级。
A.
正确
B.
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A.
晶体材料
B.
超导材料
C.
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A.
正确
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错误
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A.
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A.
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B.
有机硅
C.
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D.
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A.
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A.
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A.
正确
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