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【单选题】
本征半导体在一定温度下,就会在热激发下产生电子和空穴对,从而形成本征载流子浓度,本证半导体的带电性是()。
A.
整体不带电,呈中性
B.
带正电
C.
带负电
D.
可能带正电,可能带负电
题目标签:
本征半导体
本征载流子
载流子浓度
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参考答案:
举一反三
【判断题】随着温度上升,本征半导体与金属材料的电阻率的变化情况是一样的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
查看完整题目与答案
【判断题】在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案
【单选题】在本征半导体中掺入( )份元素杂质,就形成P型半导体。
A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
查看完整题目与答案
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度,电子迁移率,空穴迁移率,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
查看完整题目与答案
【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅,温度为300K时,本征载流子浓度,温度为500K时,本征载流子浓度,计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中,电子浓度 空穴浓度 ; 在N型半导体中,电子浓度 空穴浓度; 在P型半导体中,电子浓度 空穴浓度。
查看完整题目与答案
【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
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A.
对
B.
错
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A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度,电子迁移率,空穴迁移率,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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A.
B.
C.
D.
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