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【简答题】

硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。

题目标签：杂质浓度载流子浓度受主杂质
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参考答案：
举一反三

【判断题】B掺杂到Si中,是受主杂质 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】对于仅掺入一种受主杂质的p型半导体，当 时，受主杂质（ ）
A.
不确定
B.
全部电离
C.
部分电离
D.
几乎没电离
查看完整题目与答案

【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案

【简答题】受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案

【简答题】若施主杂质距离导带底较远,或者受主杂质距离价带顶较远,这样的杂质称为()杂质,其往往会成为(),主要影响半导体的()
查看完整题目与答案

【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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A.
不确定
B.
全部电离
C.
部分电离
D.
几乎没电离
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【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【简答题】受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【简答题】若施主杂质距离导带底较远,或者受主杂质距离价带顶较远,这样的杂质称为()杂质,其往往会成为(),主要影响半导体的()
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
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