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【简答题】

砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。

题目标签：施主杂质杂质浓度电导率
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参考答案：
举一反三

【判断题】实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。 ( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】电导率仪法测定水的电导率，通常规定（）℃为测定电导率的标准温度。如果测定时水样的温度不是该温度，一般应将测定结果换算成该温度下的电导率数据，然后再报出。
A.
15
B.
20
C.
25
D.
28
查看完整题目与答案
地面气象测报上岗考试>环保气象安全技能考试考试题目

【判断题】经归一化处理后的阻抗图曲线以一系列影响阻抗的因素（如电导率、磁导率等）作参量
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【填空题】已知18℃时， Ba(OH)2、BaCl2、NH4Cl 溶液的极限摩尔电导率分别为2.88×10－2、1.203×10－2、1.298×10－2 S·m2·mol－1，那么 18℃时NH4OH 的 = (计算式)（ ） 。
查看完整题目与答案

【判断题】用电导率能判断水的纯度（）。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】混床出水电导率高的原因有哪些？
查看完整题目与答案

【简答题】地表水现场测定项目除了pH值、色度、水温、浊度、透明度、电导率以外，还有
查看完整题目与答案

【判断题】分析实验室用水的离子检验也可以用测电导率法。()
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】脱盐水站二级反渗透出水电导率（）。
A.
1μS/Cm
B.
10μS/Cm
C.
20μS/Cm
查看完整题目与答案

【简答题】发电机内冷水对电导率有和要求？
查看完整题目与答案

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【简答题】对内冷水电导率、 温度、 流量、 压力（差）、 水位等表计按照内水冷控制柜双系统比对检查， 确认是否一致。
查看完整题目与答案

【单选题】130 mol.L -1的某溶液电导率κ是13.00 S.cm -1,那么它的摩尔电导率Λ m是多少S.cm 2.mol -1?( )
A.
0.100
B.
100
C.
0.01
查看完整题目与答案

【单选题】实验室用水三级质量指标电导率（25℃）应≤（ ）。
A.
5.0 μs/cm
B.
1.0 μs/cm
C.
0.1 μs/cm
D.
2.5μs/cm
查看完整题目与答案

【单选题】受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。
A.
电子;空穴;电子和空穴
B.
空穴;电子;电子和空穴
C.
电子和空穴;电子;空穴
D.
电子和空穴;空穴;电子
查看完整题目与答案

【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】下列（ ）元素在Si中是形成施主杂质。
A.
B
B.
Al
C.
P
D.
Ge
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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【简答题】LiCl 的无限稀释摩尔电导率为 115.03×10-4 S·m2·mol-1，在 298 K 时，测得 LiCl 稀溶液中 Li+ 的迁移数为 0.33，则 Cl- 离子的摩尔电导率 λm(Cl-)为：
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【简答题】如图，将一个圆柱形金属块放在高频感应炉中加热．设感应炉线圈产生的磁场是均匀的，磁感应强度的方均根值为B，频率为f，金属柱的直径和高分别为D和h，电导率为σ，金属柱的轴平行于磁场，涡流产生的磁场可以忽略，证明：金属柱内涡电流产生的平均热功率为：
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A.
正确
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A.
15
B.
20
C.
25
D.
28
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
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A.
正确
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A.
1μS/Cm
B.
10μS/Cm
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【简答题】对内冷水电导率、 温度、 流量、 压力（差）、 水位等表计按照内水冷控制柜双系统比对检查， 确认是否一致。
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【单选题】130 mol.L -1的某溶液电导率κ是13.00 S.cm -1,那么它的摩尔电导率Λ m是多少S.cm 2.mol -1?( )
A.
0.100
B.
100
C.
0.01
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【单选题】实验室用水三级质量指标电导率（25℃）应≤（ ）。
A.
5.0 μs/cm
B.
1.0 μs/cm
C.
0.1 μs/cm
D.
2.5μs/cm
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【单选题】受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。
A.
电子;空穴;电子和空穴
B.
空穴;电子;电子和空穴
C.
电子和空穴;电子;空穴
D.
电子和空穴;空穴;电子
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】下列（ ）元素在Si中是形成施主杂质。
A.
B
B.
Al
C.
P
D.
Ge
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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