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【简答题】

利用高斯公式计算 ,其中 是空间闭区域 的外侧表面。

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参考答案:
举一反三

【单选题】高斯公式中P、Q、R在空间闭区域上具有

A.
连续
B.
偏导数存在
C.
可微分
D.
一阶连续偏导数

【多选题】利用高斯法进行潮流计算,以下说法正确的是?()

A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性

【单选题】MCS-5l 单片机 SFR 的存储空间 是 。

A.
00H ~ 3F H ;
B.
00H ~ 7FH ;
C.
80 H ~ FF H ;
D.
00H ~ 9F H 。
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一阶连续偏导数
【多选题】利用高斯法进行潮流计算,以下说法正确的是?()
A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
【单选题】MCS-5l 单片机 SFR 的存储空间 是 。
A.
00H ~ 3F H ;
B.
00H ~ 7FH ;
C.
80 H ~ FF H ;
D.
00H ~ 9F H 。
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