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【简答题】
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
题目标签:
伏安特性
发射结
硅晶体
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参考答案:
举一反三
【判断题】常温下硅晶体三极管的U错误E=约为0.7V,且随温度升高而减小。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
查看完整题目与答案
【判断题】硅晶体结构中原子间结合方式属于离子键
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】硅晶体结构是金刚石结构,每个晶胞中含原子个数为( )
A.
1
B.
2
C.
4
D.
8
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【判断题】硅晶体的半导体性源于共价键。()
A.
正确
B.
错误
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和()。
查看完整题目与答案
【单选题】Human beings have used tools for a very long time. In some parts of the world you can still find tools that people used more than two million years ago. They made these tools by hitting one stone agai...
A.
disastrous.
B.
unpredictable.
C.
exciting.
D.
colourful.
查看完整题目与答案
【单选题】电路如图所示, , , kΩ,输出电压的调节范围是(),忽略三极管发射结导通压降。
A.
6~9V
B.
0~6V
C.
3~12V
D.
6~12V
查看完整题目与答案
【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
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A.
disastrous.
B.
unpredictable.
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D.
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【简答题】温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, β , ,正向发射结电压 , 。
查看完整题目与答案
【单选题】温敏三极管,晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性()
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
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【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
【单选题】丙类高频谐振功放电路中,静态时,发射结是负偏置,也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
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【填空题】氧和碳在硅晶体中都呈()分布。
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目
【判断题】晶体三极管工作在饱和状态时,发射结反偏。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
电力负荷控制员>发电厂热工人员考试题目
【简答题】本实验的任务是中重建三种材料的单胞结构,分别是 晶体、硅晶体和Ba3Si6N8。
查看完整题目与答案
【单选题】三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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A.
正确
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1
B.
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A.
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【单选题】丙类高频谐振功放电路中,静态时,发射结是负偏置,也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
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A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
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