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【简答题】
在本征半导体中掺入微量的有用杂质(某种元素),将使其导电能力大大增强,成为具有特定导电性能的()
题目标签:
本征半导体
半导体
导电能力
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参考答案:
举一反三
【判断题】随着温度上升,本征半导体与金属材料的电阻率的变化情况是一样的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案
【简答题】试述半导体特性及其应用。
查看完整题目与答案
【判断题】在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案
【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
查看完整题目与答案
【单选题】在本征半导体中掺入( )份元素杂质,就形成P型半导体。
A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
查看完整题目与答案
【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案
【单选题】在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A.
五价
B.
四价
C.
三价
查看完整题目与答案
【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分,半导体的发现属于( )级别。
A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【简答题】在本征半导体中,电子浓度 空穴浓度 ; 在N型半导体中,电子浓度 空穴浓度; 在P型半导体中,电子浓度 空穴浓度。
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【判断题】本征半导体中自由电子和空穴的数目不会随着温度的升高而增加。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
查看完整题目与答案
【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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相关题目:
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A.
正确
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半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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A.
对
B.
错
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【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
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显色指数高
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A.
五价
B.
四价
C.
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A.
正确
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错误
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【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
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错误
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A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【简答题】在本征半导体中,电子浓度 空穴浓度 ; 在N型半导体中,电子浓度 空穴浓度; 在P型半导体中,电子浓度 空穴浓度。
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【判断题】本征半导体中自由电子和空穴的数目不会随着温度的升高而增加。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
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【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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