A.
真空蒸发指 使用真空机组把镀膜室内的压力抽到10 -2 Pa以下,然后采用电阻加热、电子轰击或其它方法,通过高熔点材料制成的蒸发源或直接把蒸发材料加热到使大量的原子或分子离开其表面,并沉积到基片上。
B.
沉积速率影响薄膜的电学性能和薄膜结构,其与蒸气的饱和压强和基片温度有关。饱和压强越高,沉积速度越小,如果饱和压强升高到一定程度,薄膜沉积将停止。
C.
沉积速度低,产生的薄膜结构松散,当提高沉积速度时,膜层结构均匀致密,机械强度增加。但是沉积速度过高时,膜的内应力过大,有时会导致膜层破裂,所以要选择适当的沉积速度。
D.
基片温度高时,会发生沉积在基片上的粒子又被蒸发的现象,使得沉积很难进行。但是,在高的基片温度下,吸附在基片表面的剩余气体分子将被排除,从而增加基片与沉积膜之间的结合力,使得膜层附着力增加,结构致密,机械强度增加。