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【单选题】

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev,则该晶体在1200K时的空位浓度为( )。

A.
1.179×10-17
B.
4.435×10-17
C.
2.699×10-17
D.
1.3×10-17
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参考答案:
举一反三

【单选题】下列描述中哪一个是肖特基缺陷?

A.
在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,挤进晶格间隙中,在晶体内部形成一个空位一个间隙原子缺陷
B.
在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,移动到晶体表面,在内部形成一个空位缺陷
C.
在金属镁晶体中,一个镁离子的位置上没有镁而是排布了一个钙离子
D.
以上都不对

【单选题】过饱和空位趋于平衡空位浓度发生在:(A)再结晶 (B) 中温回复 (C) 低温回复 (D) 高温回复

A.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
B.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
C.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
D.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
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在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,挤进晶格间隙中,在晶体内部形成一个空位一个间隙原子缺陷
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在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,移动到晶体表面,在内部形成一个空位缺陷
C.
在金属镁晶体中,一个镁离子的位置上没有镁而是排布了一个钙离子
D.
以上都不对
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A.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
B.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
C.
由动力学原因可知容易动的先动,过饱和空位变化主要发生在低温回复阶段。
D.
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