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题目：硅基纳米硅薄膜太阳电池的研制
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举一反三
【单选题】关于CdTe薄膜太阳电池的叙述正确的是( )。
A.
同质结太阳电地光电转换效率很低的其原因是CdTe的光吸收系数很高
B.
高效率的CdTe电池的基本结构是n-CdS/p-CdTe
C.
CdS与CdTe品格常数和热膨胀系数差异大，适合做窗口层
D.
CdTe存在自补偿效应，有利于光生载流子的收集
【单选题】金属基纳米复合材料的快速凝固工艺
A.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率提高、显著细化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
B.
是利用快速凝固放出大量热的原理，制备纳米复合材料的工艺
C.
是利用快速凝固产生非晶的原理，制备纳米复合材料的工艺
D.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率下降、显著粗化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
【单选题】5.金属基纳米复合材料的快速凝固工艺
A.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率下降、显著粗化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
B.
是利用快速凝固产生非晶的原理，制备纳米复合材料的工艺
C.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率提高、显著细化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
D.
是利用快速凝固放出大量热的原理，制备纳米复合材料的工艺
【单选题】聚合物基纳米复合材料的熔体插层法是将
A.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到粘流点以上，实现复合的方法
B.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到软化点以上，实现复合的方法
C.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到塑料点以上，实现复合的方法
D.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到橡胶点以上，实现复合的方法
【单选题】聚合物基纳米复合材料插层聚合法即为
A.
将聚合物分散与层状硅酸盐混合，从而得到聚合物基纳米复合材料的方法
B.
将聚合物单体分散，插层进入层状硅酸盐片层中，原位聚合，聚合热使硅酸盐片层剥离，从而使硅酸盐片层与聚合物基体以纳米尺度相复合的方法
C.
将聚合物直接插层进入层状硅酸盐片层中从而复合的方法
D.
将聚合物单体分散，插层进入层状硅酸盐片层中从而复合的方法
【多选题】关于CdTe材料特点，以下叙述正确的有（ ）(1)。(2) 。(3)。正是这些特点，使其成为一种非常理想的薄膜太阳电池吸收层材料。
A.
制备工艺窗口宽
B.
光吸收系数高
C.
带隙适宜制备高效太阳电池
D.
以上都是
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同质结太阳电地光电转换效率很低的其原因是CdTe的光吸收系数很高
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C.
CdS与CdTe品格常数和热膨胀系数差异大，适合做窗口层
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CdTe存在自补偿效应，有利于光生载流子的收集
【单选题】金属基纳米复合材料的快速凝固工艺
A.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率提高、显著细化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
B.
是利用快速凝固放出大量热的原理，制备纳米复合材料的工艺
C.
是利用快速凝固产生非晶的原理，制备纳米复合材料的工艺
D.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率下降、显著粗化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
【单选题】5.金属基纳米复合材料的快速凝固工艺
A.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率下降、显著粗化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
B.
是利用快速凝固产生非晶的原理，制备纳米复合材料的工艺
C.
是利用快速凝固，加大过冷度、形核率提高、显著细化晶粒的原理，制备纳米复合材料的工艺
D.
是利用快速凝固放出大量热的原理，制备纳米复合材料的工艺
【单选题】聚合物基纳米复合材料的熔体插层法是将
A.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到粘流点以上，实现复合的方法
B.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到软化点以上，实现复合的方法
C.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到塑料点以上，实现复合的方法
D.
层状无机物与高聚物混合，再将混合物加热到橡胶点以上，实现复合的方法
【单选题】聚合物基纳米复合材料插层聚合法即为
A.
将聚合物分散与层状硅酸盐混合，从而得到聚合物基纳米复合材料的方法
B.
将聚合物单体分散，插层进入层状硅酸盐片层中，原位聚合，聚合热使硅酸盐片层剥离，从而使硅酸盐片层与聚合物基体以纳米尺度相复合的方法
C.
将聚合物直接插层进入层状硅酸盐片层中从而复合的方法
D.
将聚合物单体分散，插层进入层状硅酸盐片层中从而复合的方法
【多选题】关于CdTe材料特点，以下叙述正确的有（ ）(1)。(2) 。(3)。正是这些特点，使其成为一种非常理想的薄膜太阳电池吸收层材料。
A.
制备工艺窗口宽
B.
光吸收系数高
C.
带隙适宜制备高效太阳电池
D.
以上都是
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