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【单选题】
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】离子注入有下面哪种特点：
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
【单选题】非抢先式实时操作系统的实时性取决于（）
A.
中断响应时间
B.
最长任务执行时间
C.
任务切换时间
D.
所有其它任务执行时间之和
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D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
【单选题】非抢先式实时操作系统的实时性取决于（）
A.
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B.
最长任务执行时间
C.
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