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【判断题】
对高压电容式绝缘结构的试品，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。（）
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】相对介质损耗因数和电容量比值检测仪器要求主要技术指标中，电容量：100pF～（）pF，±（标准读数×0.5%+1pF）。
A.
1000
B.
5000
C.
10000
D.
50000
【多选题】关于套管电容量和介质损耗因数停电试验，说法正确的是（）。
A.
适用于电容型套管
B.
测量变压器套管tanδ时，被测套管所属绕组短路加压，其它绕组短路接地
C.
如果试验电压加在套管末屏的试验端子，则必须严格控制在设备技术文件许可值以下（通常为2000V），否则可能导致套管损坏
D.
测量前应确认外绝缘表面清洁、干燥
【单选题】变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
A.
10
B.
15
C.
20
D.
25
【单选题】进行相对介质损耗因数和电容量比值检测时，防止设备末屏（）。取样单元引线连接牢固，符合通流能力要求，测试前应检查电流测试引线导通情况，测试结束保证末屏（）。
A.
开路；对地绝缘
B.
短路；对地绝缘
C.
开路；可靠接地
D.
短路；可靠接地
【单选题】现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现外界磁场干扰时，应采用的正确方法是（）。
A.
将电桥放置方向改变或远离干扰源
B.
将试验电源移相或选相、倒相
C.
改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.
桥体加反干扰源
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1000
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5000
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10000
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50000
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A.
适用于电容型套管
B.
测量变压器套管tanδ时，被测套管所属绕组短路加压，其它绕组短路接地
C.
如果试验电压加在套管末屏的试验端子，则必须严格控制在设备技术文件许可值以下（通常为2000V），否则可能导致套管损坏
D.
测量前应确认外绝缘表面清洁、干燥
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A.
10
B.
15
C.
20
D.
25
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A.
开路；对地绝缘
B.
短路；对地绝缘
C.
开路；可靠接地
D.
短路；可靠接地
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A.
将电桥放置方向改变或远离干扰源
B.
将试验电源移相或选相、倒相
C.
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D.
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