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【简答题】

以P 2O 5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

题目标签：杂质扩散多晶硅质扩散
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举一反三

【单选题】在多晶硅电池片的制备过程中,最重要的步骤是___
A.
清洗制绒
B.
pn结制备
C.
减反膜制备
D.
电极制备
查看完整题目与答案

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
查看完整题目与答案

【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案

【单选题】其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.
A.
SiCl4法
B.
硅烷法
C.
直拉法
D.
西门子改良法
查看完整题目与答案

【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案

【简答题】为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
查看完整题目与答案

【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【判断题】在高纯多晶硅中掺入微量的第ⅤA族元素，就形成N型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】铸造多晶硅的制备方法（ ）和（）
查看完整题目与答案

【简答题】作业2. 多晶硅生产工艺流程及主要设备?
查看完整题目与答案
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A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
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A.
SiCl4法
B.
硅烷法
C.
直拉法
D.
西门子改良法
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A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【判断题】在高纯多晶硅中掺入微量的第ⅤA族元素，就形成N型半导体。
A.
正确
B.
错误
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