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【单选题】

金属氧化物半导体场效应管的缩写是( )。

A.
GTR
B.
GTO
C.
MOSFET
D.
IGBT
题目标签：场效应管氧化物半导体金属氧化物半导体
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参考答案：
举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【多选题】金属氧化物半导体场效应管包含（）。
A.
基极
B.
栅极
C.
源极
D.
漏极
查看完整题目与答案

【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
查看完整题目与答案

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
查看完整题目与答案

【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
查看完整题目与答案

【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
查看完整题目与答案

【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【多选题】金属氧化物半导体场效应管包含（）。
A.
基极
B.
栅极
C.
源极
D.
漏极
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
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