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【简答题】
已知肖特基二极管的下列参数：
=5.0V，χs=4.05eV，Nc=1019cm-3Nd=1015cm-3，εr=11.9．假设界面态密度是可以忽略的，在300K时计算下列
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举一反三
【多选题】在各种类型的导体中,有关态密度D(E)的说法正确的是:
A.
在p型导体中，由于其能动量关系开口向下，那么如果我们在能量空间中计数能级数N(E)时，则有： ；
B.
在n型导体中，由于其能动量关系开口向上，则如果我们在能量空间中计数能级数N(E)时，有： ；
C.
对于双尾型的态密度，可以将总态密度分解为 n-型部分和 p-型部分之和，从而可分开进行处理；
D.
态密度的概念只能在晶格结构的固体中使用，而不能在无定形态、玻璃态等非周期结构体系中使用。
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
【单选题】P型半导体构成的MIS结构，若Wm>Ws假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
A.
V FB>0
B.
V FB=0
C.
无法判断
D.
V FB<0
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A.
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B.
在n型导体中，由于其能动量关系开口向上，则如果我们在能量空间中计数能级数N(E)时，有： ；
C.
对于双尾型的态密度，可以将总态密度分解为 n-型部分和 p-型部分之和，从而可分开进行处理；
D.
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A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
【单选题】P型半导体构成的MIS结构，若Wm>Ws假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
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无法判断
D.
V FB<0
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