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【判断题】
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。
A.
发射结、集电结均正偏
B.
发射结、集电结均反偏
C.
发射结正偏、集电结反偏
D.
发射结反偏、集电结正偏
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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发射结、集电结均正偏
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C.
发射结正偏、集电结反偏
D.
发射结反偏、集电结正偏
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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