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【单选题】
三极管的三个区中,掺杂杂质浓度最高的是( )。
A.
集电区
B.
基区
C.
发射区
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参考答案：
举一反三
【单选题】下列有关体掺杂型太阳能电池说法错误的是?( )
A.
混合层中给体和受体材料的比例与活性层中两相的相分离大小有关
B.
干燥时间不同对电池的特性有影响
C.
一般常用的阳极材料为Al
D.
溶剂的挥发性对电池性能有很大的影响
【单选题】晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。
A.
发射结、集电结均正偏
B.
发射结、集电结均反偏
C.
发射结正偏、集电结反偏
D.
发射结反偏、集电结正偏
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【单选题】日本的白川英树、美国的马克迪尔米德和艾伦•黑格尔，由于发现了掺杂聚乙炔具有良好导电性而共同获得2000年诺贝尔化学奖．以下关于聚乙炔的叙述错误的是（ ）
A.
单体为不饱和烃
B.
聚乙炔的分子中含有碳碳双键
C.
聚乙炔的相对分子量为26
D.
聚乙炔可用于生产导电橡胶
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C.
一般常用的阳极材料为Al
D.
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A.
发射结、集电结均正偏
B.
发射结、集电结均反偏
C.
发射结正偏、集电结反偏
D.
发射结反偏、集电结正偏
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【单选题】日本的白川英树、美国的马克迪尔米德和艾伦•黑格尔，由于发现了掺杂聚乙炔具有良好导电性而共同获得2000年诺贝尔化学奖．以下关于聚乙炔的叙述错误的是（ ）
A.
单体为不饱和烃
B.
聚乙炔的分子中含有碳碳双键
C.
聚乙炔的相对分子量为26
D.
聚乙炔可用于生产导电橡胶
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