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【判断题】
直接带隙和间接带隙是一样的。。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
直接带隙
间接带隙
带隙
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参考答案:
举一反三
【判断题】si 是直接带隙半导体
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】硒化锑的带隙为()。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
查看完整题目与答案
【判断题】硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】简述什么是直接带隙材料
查看完整题目与答案
【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙?
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
查看完整题目与答案
【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】硅是间接能带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列物质属于直接带隙的有
A.
硅
B.
砷化镓
C.
磷化铟
D.
氮化镓
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B.
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B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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【判断题】硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙?
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
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【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是间接能带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列物质属于直接带隙的有
A.
硅
B.
砷化镓
C.
磷化铟
D.
氮化镓
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