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【多选题】

下列可作为磷扩散源的是（）。

A.
磷钙玻璃
B.
三氯氧磷
C.
三氯化磷
D.
磷烷
E.
掺磷二氧化硅乳胶源
题目标签：扩散源
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【简答题】扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成 ,采用 作为扩散源,提供磷原子。
查看完整题目与答案

【简答题】与扩散源相比，离子注入有哪些优点？
查看完整题目与答案
集成电路技术综合练习考试题目

【单选题】题3-2-5 根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是。
A.
固态源扩散
B.
液态源扩散
C.
替位式扩散
D.
气态源扩散
查看完整题目与答案

【简答题】扩散源有哪些存在形态？
查看完整题目与答案
集成电路技术综合练习考试题目

【简答题】扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结,采用( )作为扩散源,提供磷原子。磷扩散的扩散机制是( )。
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【单选题】扩散源成分是（）
A.
三氯氧磷
B.
五氧化磷
C.
五氧化二磷
D.
盐酸
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【多选题】下列可作为磷扩散源的是（）。
A.
磷钙玻璃
B.
三氯氧磷
C.
三氯化磷
D.
磷烷
E.
掺磷二氧化硅乳胶源
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集成电路制造工艺员>集成电路制造工艺员（三级）考试题目

【多选题】下列可作为磷扩散源的是（）。
A.
磷钙玻璃
B.
三氯氧磷
C.
三氯化磷
D.
磷烷
E.
掺磷二氧化硅乳胶源
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【简答题】扩散源有哪些存在形态？
查看完整题目与答案

【单选题】扩散源温一般控制在（）。
A.
19℃
B.
20℃
C.
21℃
D.
22℃
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C.
替位式扩散
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A.
三氯氧磷
B.
五氧化磷
C.
五氧化二磷
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A.
磷钙玻璃
B.
三氯氧磷
C.
三氯化磷
D.
磷烷
E.
掺磷二氧化硅乳胶源
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A.
磷钙玻璃
B.
三氯氧磷
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三氯化磷
D.
磷烷
E.
掺磷二氧化硅乳胶源
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