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【判断题】
金属催化剂中,Cu的d带空穴为0.6。( )
A.
正确
B.
错误
题目标签:
催化剂
空穴
金属催化剂
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参考答案:
举一反三
【判断题】催化剂对正逆反应的速率影响是一样的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】关于重整催化剂轻微硫中毒的处理,下列操作正确的是()。
A.
减少注氯
B.
重整各反降至480℃
C.
反应提温
D.
增加注氯量
查看完整题目与答案
【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
查看完整题目与答案
【单选题】在外电场的作用下,空穴与自由电子运动形成的电流方向()。
A.
相同
B.
相反
查看完整题目与答案
【单选题】某反应的活化能为150.5 kJ • mol-1,引入催化剂后反应的活化能降低至112.2 kJ • mo1-1,若反应的温度为100 K,则反应速率增加的倍数约为( )
A.
1 x 10 22
B.
1 x 10 21
C.
1 x 1 0 20
D.
1 x 10 19
查看完整题目与答案
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
查看完整题目与答案
【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
查看完整题目与答案
【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】试推导球形催化剂的内扩散有效因子表达。
查看完整题目与答案
【简答题】F–T合成的铁催化剂主要有()和()。
查看完整题目与答案
【简答题】计算题:某装置催化剂装填量是28t,堆积密度级为1.06t/m3,原料量为30t/h,密度为900kg/m3,请计算质量空速(结果取1位小数)。
查看完整题目与答案
【判断题】干法脱硫铁钼催化剂在进行上述的都是主反应无副反应。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【多选题】催化剂能够改变化学反应速率,而本身在反应前后,其()等均保持不变
A.
质量
B.
学组成
C.
化学性质
D.
温度
查看完整题目与答案
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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正确
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A.
正确
B.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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A.
减少注氯
B.
重整各反降至480℃
C.
反应提温
D.
增加注氯量
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A.
相同
B.
相反
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A.
1 x 10 22
B.
1 x 10 21
C.
1 x 1 0 20
D.
1 x 10 19
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A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】F–T合成的铁催化剂主要有()和()。
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【简答题】计算题:某装置催化剂装填量是28t,堆积密度级为1.06t/m3,原料量为30t/h,密度为900kg/m3,请计算质量空速(结果取1位小数)。
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【判断题】干法脱硫铁钼催化剂在进行上述的都是主反应无副反应。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【多选题】催化剂能够改变化学反应速率,而本身在反应前后,其()等均保持不变
A.
质量
B.
学组成
C.
化学性质
D.
温度
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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