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【简答题】

下列说法正确的是( ) A .硅管的死区电压为 0. 3 V ,锗管的死区电压为 0. 1 V 。 B .硅管的死区电压为 0.2V ,锗管的死区电压为 0.5V 。 C .锗管的死区电压为 0.7V ,硅管的死区电压为 0.2V 。 D . 锗管的死区电压为 0.2V ,硅管的死区电压为 0.5V 。

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参考答案:
举一反三

【单选题】硅管和锗管的伏安特性曲线( )

A.
就是同一条曲线
B.
锗管的特性曲线靠近纵轴
C.
硅管的特性曲线靠近纵轴
D.
在某个位置重合

【单选题】二极管两端加正向电压时,

A.
立即导通
B.
超过死区电压就导通
C.
超过0.2V就导通
D.
超过击穿电压就导通
E.
:B
F.
:单选题
G.
1、 图示分压偏置放大电路中,若减小 ,则集电极电流
H.
减小
I.
增大
J.
不变 K. 先减小,后增大

【单选题】肾梗死区的坏死多为()。

A.
液化性坏死
B.
凝固性坏死
C.
纤维素样坏死
D.
坏疽
E.
干酪样坏死
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在某个位置重合
【单选题】二极管两端加正向电压时,
A.
立即导通
B.
超过死区电压就导通
C.
超过0.2V就导通
D.
超过击穿电压就导通
E.
:B
F.
:单选题
G.
1、 图示分压偏置放大电路中,若减小 ,则集电极电流
H.
减小
I.
增大
J.
不变 K. 先减小,后增大
【单选题】肾梗死区的坏死多为()。
A.
液化性坏死
B.
凝固性坏死
C.
纤维素样坏死
D.
坏疽
E.
干酪样坏死
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