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【判断题】
在太阳能电池的耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为1。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
光生载流子
耗尽层
太阳能电池
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参考答案:
举一反三
【单选题】当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变宽。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
D.
不确定
查看完整题目与答案
【单选题】PN结形成时,由( )载流子的扩散运动形成空间电荷区(又称耗尽层,内电场)。
A.
多数
B.
少数
查看完整题目与答案
【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
查看完整题目与答案
【简答题】在PN结耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为 。
查看完整题目与答案
【单选题】太阳能电池发电原理是
A.
孤岛效应
B.
电磁感应效应
C.
光生伏特效应
D.
自感效应
查看完整题目与答案
【单选题】第一块太阳能电池是在( )年问世的。
A.
、 1810
B.
、 1887
C.
、 1857
D.
、 1839
查看完整题目与答案
【判断题】当光照射到半导体P-N结上,半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,就会产生光生载流子
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】PN 结反向偏置,其耗尽层会 ( ) 。
A.
变窄
B.
变宽
C.
不变
D.
不能确定
查看完整题目与答案
【简答题】简述太阳能电池的工作原理
查看完整题目与答案
【简答题】太阳能电池
查看完整题目与答案
【多选题】当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()
A.
大于
B.
变窄
C.
等于
D.
小于
E.
变宽
F.
不变
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市话测量员>高级市话测量员考试题目
【判断题】太阳能电池又称“光伏电池”。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】[名词解释] 耗尽层宽度W
查看完整题目与答案
电子与通信技术>微电子学考试题目
【多选题】太阳能电池硅片表面制绒的目的?
A.
增加粗糙度,减少反射
B.
增强反射
C.
增强对太阳光的吸收
D.
减少对太阳光的吸收
查看完整题目与答案
【判断题】正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】PN结正偏时,耗尽层( ),扩散电流( )漂移电流。
A.
变宽;大于
B.
变宽;小于
C.
变窄;小于
D.
变窄;大于
查看完整题目与答案
【单选题】当PN结外加正向电压时,( )占优,耗尽层变窄。 A、 中和电流 B、 扩散电流 C、 漂移电流 D、 正弦电流
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
查看完整题目与答案
【单选题】雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
查看完整题目与答案
【简答题】PN 结处于反向偏置时耗尽层的宽度是变
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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相关题目:
【单选题】当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变宽。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
D.
不确定
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A.
多数
B.
少数
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【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
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【单选题】太阳能电池发电原理是
A.
孤岛效应
B.
电磁感应效应
C.
光生伏特效应
D.
自感效应
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A.
、 1810
B.
、 1887
C.
、 1857
D.
、 1839
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A.
正确
B.
错误
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A.
变窄
B.
变宽
C.
不变
D.
不能确定
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【简答题】太阳能电池
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【多选题】当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()
A.
大于
B.
变窄
C.
等于
D.
小于
E.
变宽
F.
不变
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A.
正确
B.
错误
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【多选题】太阳能电池硅片表面制绒的目的?
A.
增加粗糙度,减少反射
B.
增强反射
C.
增强对太阳光的吸收
D.
减少对太阳光的吸收
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】PN结正偏时,耗尽层( ),扩散电流( )漂移电流。
A.
变宽;大于
B.
变宽;小于
C.
变窄;小于
D.
变窄;大于
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【单选题】当PN结外加正向电压时,( )占优,耗尽层变窄。 A、 中和电流 B、 扩散电流 C、 漂移电流 D、 正弦电流
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
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A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
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【简答题】PN 结处于反向偏置时耗尽层的宽度是变
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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