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【单选题】
对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致本征载流子浓度（）。
A.
变大
B.
变小
C.
不变
D.
以上都不对
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举一反三
【单选题】温度升高 100K ,下列反应的 D S ( )。 NH 3 (g) + 3Cl 2 (g) = N 2 (g) + 6HCl (g) △H θ 298 = - 461.5 kJ / mol
A.
>> △S θ 298
B.
<θ 298
C.
≈ △S θ 298
D.
≡△S θ 298
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
【单选题】本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生电子和空穴对，从而形成本征载流子浓度，本证半导体的带电性是（）。
A.
整体不带电，呈中性
B.
带正电
C.
带负电
D.
可能带正电，可能带负电
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A.
>> △S θ 298
B.
<θ 298
C.
≈ △S θ 298
D.
≡△S θ 298
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
【单选题】本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生电子和空穴对，从而形成本征载流子浓度，本证半导体的带电性是（）。
A.
整体不带电，呈中性
B.
带正电
C.
带负电
D.
可能带正电，可能带负电
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