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【单选题】
对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
A.
与温度无关,与杂质浓度无关
B.
与温度有关,与杂质浓度有关
C.
与温度无关,与杂质浓度有关
D.
与温度有关,与杂质浓度无关
题目标签:
半导体
本征载流子
载流子浓度
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参考答案:
举一反三
【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其本征载流子浓度为空穴浓度的( )倍。
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
查看完整题目与答案
【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案
【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
查看完整题目与答案
【简答题】试述半导体特性及其应用。
查看完整题目与答案
【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
查看完整题目与答案
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度,电子迁移率,空穴迁移率,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
查看完整题目与答案
【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案
【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅,温度为300K时,本征载流子浓度,温度为500K时,本征载流子浓度,计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
查看完整题目与答案
【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分,半导体的发现属于( )级别。
A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
查看完整题目与答案
【简答题】为什么说本征载流子浓度与温度有关?
查看完整题目与答案
【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
查看完整题目与答案
【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【单选题】对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
A.
与温度无关,与杂质浓度无关
B.
与温度有关,与杂质浓度有关
C.
与温度无关,与杂质浓度有关
D.
与温度有关,与杂质浓度无关
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
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A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度,电子迁移率,空穴迁移率,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
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D.
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A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅,温度为300K时,本征载流子浓度,温度为500K时,本征载流子浓度,计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分,半导体的发现属于( )级别。
A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【单选题】对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
A.
与温度无关,与杂质浓度无关
B.
与温度有关,与杂质浓度有关
C.
与温度无关,与杂质浓度有关
D.
与温度有关,与杂质浓度无关
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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