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【判断题】
从二极管的伏安特性上看,硅二极管的性能比锗二极管的性能好。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
硅二极管
伏安特性
性能比
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参考答案:
举一反三
【判断题】95号的抗爆性能比92号好。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】SF6气体的优异灭弧性能,表现在导热性能比空气好
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】A.一般隔墙的石膏板宜竖向铺设 B.曲墙面的石膏板宜横向铺设 C.隔墙石膏板竖向铺设的防火性能比横向铺设好 D.横向铺设有利隔音
A.
关于纸面石膏板隔墙的石膏板铺设方向,下列说法错误的是()
查看完整题目与答案
【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
【单选题】通常老化沥青混合料的抗疲劳性能比未老化沥青的混合料差。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】一般地说,铸件的力学性能比锻件()。
A.
高
B.
低
C.
相等
查看完整题目与答案
【判断题】硅二极管的死区电压一般为0.2V。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
车辆电工考试>高级车辆电工考试考试题目
【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
【单选题】型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
A.
1V
B.
0.2V
C.
0.6V
查看完整题目与答案
【单选题】硅二极管的死区电压通常约为( )。
A.
0.1V
B.
0.5V
C.
0.7V
D.
0.3V
查看完整题目与答案
【单选题】当硅二极管加0.3V正向电压时,该二极管相当于( ) 。
A.
很小电阻
B.
很大电阻
C.
短路
D.
开路
查看完整题目与答案
【简答题】什么是二极管的伏安特性?
查看完整题目与答案
电力负荷控制员>发电厂热工人员考试题目
【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
查看完整题目与答案
【单选题】所示电路中, D 1 、 D 2 为硅二极管,导通压降为 0.7V 。 B 端接7 V , A 接 3V 时, V O 等于( )伏。
A.
7
B.
7.7
C.
3
D.
3.7
查看完整题目与答案
【单选题】铸铁的铸造性能比钢好,故常用于铸造形状复杂的工件。()
A.
对
查看完整题目与答案
【多选题】下述1xEV-DO Rel.0与1X性能比较正确的是()
A.
在多址方式上,1xEV-DORel.0前向采用时分+码分,反向码分的方式,1X前反向均为码分多址
B.
在调制方式上,1xEV-DORel.0前向采用QPSK、8PSK、16QAM,反向采用BPSK,1X前向采用QPSK,反向HPSK
C.
1xEV-DORel.0帧长26.667ms,1X帧长为5ms、20ms、40ms、80ms等多种
D.
1xEV-DORel.0前向以最大功率发射,无功率控制,1X前向采用功率控制
查看完整题目与答案
通信工程师>CDMAX-EVDO考试题目
【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】硅二极管导通时的正向管压降约 v.
A.
0.6-0.7
B.
0.1-0.2
C.
0.2-0.3
D.
0.4-0.5
查看完整题目与答案
【单选题】BR的热稳定性能比IIR好()
A.
对
B.
错
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正确
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A.
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A.
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【单选题】型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
A.
1V
B.
0.2V
C.
0.6V
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【单选题】硅二极管的死区电压通常约为( )。
A.
0.1V
B.
0.5V
C.
0.7V
D.
0.3V
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【单选题】当硅二极管加0.3V正向电压时,该二极管相当于( ) 。
A.
很小电阻
B.
很大电阻
C.
短路
D.
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电力负荷控制员>发电厂热工人员考试题目
【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【单选题】所示电路中, D 1 、 D 2 为硅二极管,导通压降为 0.7V 。 B 端接7 V , A 接 3V 时, V O 等于( )伏。
A.
7
B.
7.7
C.
3
D.
3.7
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【单选题】铸铁的铸造性能比钢好,故常用于铸造形状复杂的工件。()
A.
对
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【多选题】下述1xEV-DO Rel.0与1X性能比较正确的是()
A.
在多址方式上,1xEV-DORel.0前向采用时分+码分,反向码分的方式,1X前反向均为码分多址
B.
在调制方式上,1xEV-DORel.0前向采用QPSK、8PSK、16QAM,反向采用BPSK,1X前向采用QPSK,反向HPSK
C.
1xEV-DORel.0帧长26.667ms,1X帧长为5ms、20ms、40ms、80ms等多种
D.
1xEV-DORel.0前向以最大功率发射,无功率控制,1X前向采用功率控制
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通信工程师>CDMAX-EVDO考试题目
【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
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【单选题】硅二极管导通时的正向管压降约 v.
A.
0.6-0.7
B.
0.1-0.2
C.
0.2-0.3
D.
0.4-0.5
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【单选题】BR的热稳定性能比IIR好()
A.
对
B.
错
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