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【判断题】
PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备,也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
薄膜太阳电池
多晶硅
非晶硅
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参考答案:
举一反三
【单选题】在多晶硅电池片的制备过程中,最重要的步骤是___
A.
清洗制绒
B.
pn结制备
C.
减反膜制备
D.
电极制备
查看完整题目与答案
【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是()
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
查看完整题目与答案
【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案
【单选题】非晶硅平板
A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体
查看完整题目与答案
【简答题】关于多晶硅内部的排列,下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案
【简答题】为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体?
查看完整题目与答案
【判断题】晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构,而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
查看完整题目与答案
【判断题】在高纯多晶硅中掺入微量的第ⅤA族元素,就形成N型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】铸造多晶硅的制备方法( )和()
查看完整题目与答案
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A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
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A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
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A.
正确
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A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
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A.
正确
B.
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