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【判断题】
对于高末电子管管座，用兆欧表摇测管座帘栅极对“地”阻值接近“∞”，测试完成注意放电。（ ）
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】据了解，一些先进厂商已经掌握了7纳米芯片的制造工艺，而目前主流的是用14纳米工艺制造的芯片，那么，芯片技术还有继续演进的________吗?专家认为，芯片技术的发展历程，到今天为止，我们仍然没有看到它的终点。从电子管到晶体管再到集成电路的不断演进，技术的突破虽然往往出其不意，却从未________。依次填入划横线部分最恰当的一项是：
A.
空间 迷失
B.
余地 缺席
C.
可能 让步
D.
前景 踌躇
【单选题】高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释，错误的是（）
A.
A.高速电子与靶物质轨道电子作用的结果
B.
特征X线的质取决于高速电子的能量
C.
特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定
D.
靶物质原子序数较高特性X线的能量大
E.
70kVp以下钨不产生K系特征X线
【单选题】计算机的发展经历了电子管计算机、晶体管计算机、（）、大规模超大规模集成电路计算机等四个阶段。
A.
纳米计算机
B.
生物计算机
C.
集成电路计算机
D.
网络虚拟计算机
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A.
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B.
特征X线的质取决于高速电子的能量
C.
特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定
D.
靶物质原子序数较高特性X线的能量大
E.
70kVp以下钨不产生K系特征X线
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