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【判断题】

轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低

A.
正确
B.
错误
题目标签：本征载流子载流子浓度型半导体
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参考答案：
举一反三

【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
查看完整题目与答案

【单选题】在P型半导体中_______。
A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
查看完整题目与答案

【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】P型半导体靠()导电
A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
查看完整题目与答案

【简答题】P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 。
查看完整题目与答案

【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
查看完整题目与答案

【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案

【多选题】下列材料属于N型半导体的是（）。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）
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【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
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A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】P型半导体靠()导电
A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【多选题】下列材料属于N型半导体的是（）。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）
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【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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