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【多选题】
量子阱和超晶格结构中主要的新现象和效应包括()
A.
量子尺寸效应
B.
量子限域效应
C.
共振隧穿效应
D.
量子限制斯塔克效应
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举一反三
【单选题】什么是超晶格结构？
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【单选题】某结构为一级抗震,则该结构中框架梁箍筋加密区长度为( )。
A.
500mm
B.
max （ 500mm ， 1.5 h b ）
C.
max （ 500mm ， 2.0 h b ）
D.
设计确定
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【单选题】某结构为一级抗震,则该结构中框架梁箍筋加密区长度为( )。
A.
500mm
B.
max （ 500mm ， 1.5 h b ）
C.
max （ 500mm ， 2.0 h b ）
D.
设计确定
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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