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【判断题】

N沟道结型场效应管中,栅源间电压为夹断电压时,漏极电流为零。

A.
正确
B.
错误
题目标签：夹断电压漏极电流结型场效应管
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【简答题】N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。​
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【简答题】[名词解释] 内建夹断电压
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目

【判断题】结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
A.
空穴
B.
电子
C.
电子和空穴
D.
正离子
E.
负离子
查看完整题目与答案

【判断题】电力 MOSFET 的转移特性指漏极电流和栅源间电压的关系。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
查看完整题目与答案

【简答题】场效应管是通过改变______来改变漏极电流的，因此是一个______。控制的______。
查看完整题目与答案

【判断题】场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】下述哪一项是P沟道结型场效应管的夹断电压（）。
A.
正 
B.
负 
C.
零 
D.
正负均可 
E.
CD选项均对
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正确
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A.
空穴
B.
电子
C.
电子和空穴
D.
正离子
E.
负离子
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A.
正确
B.
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A.
正确
B.
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A.
栅极电流
B.
栅源电压
C.
源极电压
D.
源极电流
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A.
正确
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A.
正 
B.
负 
C.
零 
D.
正负均可 
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