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> 薄膜淀积
"薄膜淀积"相关考试题目
1.
薄膜淀积的方法主要有两种,它们是:
2.
薄膜淀积时，衬底不要求是单晶的。
3.
CVD工艺当hg<<ks时，薄膜淀积速率受表面反应控制，对温度很敏感。
4.
Grove 模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是: , 。
5.
薄膜淀积时，衬底必须是单晶的。
6.
CVD工艺当hg<<ks时，薄膜淀积速率受表面反应控制，对温度很敏感。
7.
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
8.
薄膜淀积结束后,需进行的质量检测项目有哪些( ) ( A )膜厚 ( B )折射率 ( C )台阶覆盖率 ( D )均匀性
9.
当hg>>ks时，薄膜淀积速率是表面反应控制，对温度很敏感。
10.
原子层淀积（ALD）是利用反应气体与基板之间的气-固反应来完成薄膜淀积或外延生长的技术。
11.
通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（ ）
12.
薄膜淀积的目的是什么?
13.
蒸发的淀积率与源的蒸汽压有关,溅射的薄膜淀积率取决于衬底的偏压和输入功率。
14.
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
