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> 光生载流子
"光生载流子"相关考试题目
1.
太阳能 电池短路状态时, 在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离,电子向P 区漂移,空穴向N区漂移,产生由P区流向N区的漂移电流。
2.
用波长为0.83μm，强度为3mW的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，量子效率为1，并设全部光生载流子能到达电极，则光生电流为（ ） A
3.
光电二极管耗尽区是产生光生载流子的主要区域，因此要求二极管有宽的耗尽区。()
4.
PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（ ）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（ ）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管...
5.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。
6.
当太阳光投射到太阳电池上时,光子被吸收而产生光生载流子,此时N区的()向P区移动,P的()向N区移动:
7.
在PN结耗尽层，所有光生载流子几乎能够全部被收集，收集概率近似为 。
8.
（）反向偏置电压，一方面可使PN结耗尽区加宽，另一方面也可以使内建电场加大，使光生载流子的运动速度加快，有利于提高响应速度。
9.
结合太阳电池的光谱响应和光生载流子的收集概率，可以得到太阳电池的 ，即太阳电池所收集的载流子的数量与入射光子的数量的比。
10.
某光电导的弛豫时间为3×10-3s，当光生载流子寿命为10-6s时，问该光电导材料有无陷阱，若有，则求出载流子在陷阱上的时间?
11.
用波长为0.83μm,强度为3mW的光照射在硅光电池,设其反射系数为15%,量子效率为1,并设全部光生载流子能到达电极,则光生电流为( ) 。
12.
当光照射到半导体P-N结上，半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，就会产生光生载流子
13.
描述了太阳光照射到太阳能电池的某个区域产生的载流子被PN结收集并参与到电流流动的概率，它的大小取决于光生载流子需要运动的距离和电池的表面特性。
14.
光伏器件在（ ）偏置状态，PN结耗尽区加宽，有利于光生载流子的漂移运动，使光伏器件的线性范围和光电变化的动态范围加宽。
15.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
16.
设棒状光电导体长为l，截面积为S，在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s，若在棒两端施加电压V，试证光生电流与总电流之比为式中b=μn/μp·n0为平衡导带电子浓度。设光生载流子寿命τn=τp=10-4s·Q=1014cm-3，估计300K下硅单晶的△I/I比值。
17.
光子能量需达到什么程度才能产生光生载流子。
18.
( )在PN结内部形成一个高电场区(称为雪崩区),用以使进入该区的光生载流子发生碰撞电离,产生更多的电子-空穴对。
19.
光照射在太阳能电池上，并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在P型材料和N型材料中将电子从共价键中激发，以致产生电子-空穴对，光生载流子对N区空穴少数载流子浓度将产生显著影响。（）
20.
为了提高PN光电二极管的频率响应特性,需要增大耗尽区宽度,使光生载流子主要在耗尽区产生;降低结电容及负载电阻。( )
21.
当光生载流子平均寿命大于它在电极间的渡越时间时,光敏电阻的光电增益值( )
22.
在太阳能电池的耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为1。
23.
当光照射在太阳能电池上，并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在P型材料和N型材料中将电子从共价键中激发，以致产生电子-空穴对，光生载流子对P区电子少数载流子浓度将产生显著影响。（）
24.
光电导体的下降时间常数表示光生载流子浓度从停光前的稳态值衰减到稳态值的63%所需的时间。
25.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（ ）。
26.
晶硅光伏电池中能有效收集的光生载流子主要是在（）产生的。
27.
PN结结构的微晶硅薄膜太阳能电池利用漂移来收集光生载流子。
28.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。
29.
光电二极管由于耗尽区是产生光生载流子的主要区域，因此要求： 。
30.
当 P-N 结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是( )。
31.
关于 半导体中 光生载流子的分离说法错误的是
32.
光电导体的上升时间常数表示光生载流子浓度从0增长到稳态值的 %所需的时间。
33.
光电二极管在正向电压下工作，PN结在光线照射下产生光生载流子，，它们参加导电会增大饱和电流。
34.
光电二极管在受到光照时，光照强度越大，产生的光生载流子就越多，光电流越（ ）。填大或小。
35.
光生载流子复合的因素有?
36.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是 。
37.
光敏二极管的频率特性较好。主要决定于光生载流子的 、负载电阻和结电容的乘积。
38.
光敏电阻的工作原理是光照产生光生载流子,使其电阻值急剧增加。
39.
光照pn结时,由于在( )作用下,光生载流子定向移动,使得pn结产生( )电动势。
40.
将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。
41.
量子产额描述的是单位时间入射光子产生的光生载流子数
42.
雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
43.
在太阳能电池的耗尽层，所有光生载流子几乎能够全部被收集，收集概率近似为1。
44.
光生载流子在( )内的渡越时间d与 光检测回路的RC时间常数RC之和,称为响应时间
45.
钙钛矿太阳能电池的光敏层是钙钛矿材料，钙钛矿材料既可以吸收光产生光生载流子，又可以传输电子。（ ）
46.
太阳能电池中,半导体材料的禁带宽度越窄,理论上可获得的短路光电流越大,但是光生载流子的复合也越强烈。
47.
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（ ）。
48.
光电二极管耗尽区是产生光生载流子的主要区域，因此要求二极管有宽的耗尽区。( )
49.
关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
50.
光电二极管在正向电压下工作，PN结在光线照射下产生光生载流子，它们参加导电会增大饱和电流。
