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> 平衡载流子
"平衡载流子"相关考试题目
1.
在一定温度下,非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积( )本征载流子浓度的平方。
2.
非平衡载流子平均存在的时间，称为（）。
3.
为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布,引入了准费米能级的概念。如果用 和 分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示( )
4.
光照停止后，非平衡载流子能够一直存在下去。
5.
什么是非平衡载流子？
6.
晶体硅的非平衡载流子的复合属于( )
7.
一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的e-2倍，则该半导体材料的寿命为（）微秒
8.
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
9.
在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。
10.
若过剩载流子浓度△n、△p与热平衡载流子浓度相比不能忽略时，就必须做电子和空穴同时扩散和漂移的双极情况处理。证明保持电中性条件下过剩电子和空穴流动的基本方程为
11.
对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:
12.
非平衡载流子的寿命标志着其浓度减小到原值的1/e所经历的时间。寿命不同,衰减的快慢不同。( )
13.
为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？
14.
受光照后的半导体材料当停止光照后经过足够长的时间其内部非平衡载流子浓度变为______。
15.
什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
16.
[名词解释] 平衡载流子和非平衡载流子
17.
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
18.
半导体对不同波长光的吸收包括()和晶格吸收等,主要由本征吸收产生额外的光生非平衡载流子,最终实现太阳能发电功能。
19.
非平衡载流子浓度 Δn ( ) Δp 。
20.
直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命 td 决定于 。
21.
非平衡载流子的净复合=复合-产生。
22.
[名词解释] 非平衡载流子
23.
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
24.
非平衡载流子的产生
25.
少子寿命是指非平衡载流子浓度复合至初始的______所经历的时间。
26.
非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。
27.
稳态扩散中，非平衡载流子在半导体中的分布肯定是按指数下降分布
28.
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
29.
区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同? 什么叫非平衡载流子? 什么叫非平衡载流子的稳定分布?
30.
n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为： [条件：均匀半导体材料，外加均匀电场，光照在半导体材料中均匀产生非平衡载流子]
31.
EL测试仪里，非平衡载流子复合会发出什么光？
32.
区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？
33.
小注入的条件是满足 注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多。
34.
非平衡载流子的寿命 τ, 是指_____________
35.
当半导体处于非平衡状态时,其电阻率是随非平衡载流子浓度的增加而 ( )。
36.
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
37.
光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
38.
在N型或者P型半导体在一般平衡情况下只有少数载流子空穴或者电子,但当外部环境的改变(如光照)的条件下,有可能增加半导体中少数载流子的数目,这些多余出来的少数载流子(非平衡载流子)成为少子
39.
非平衡载流子小注入时,非平衡____载流子的变化和影响较大。
40.
光照1Ω∙cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3∙s-1。设样品的寿命为10us，表面符合速度为100cm/s。试计算：单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。
41.
区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？
42.
掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。
43.
关于非平衡载流子的说法，正确的有：
44.
寿命标志了非平衡载流子浓度减小到原值1/e经历的时间，寿命的大小表征了复合的强弱，如果寿命小，意味着复合几率（ ）。
45.
使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
46.
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
47.
通常所说的非平衡载流子的寿命，是指少数载流子的寿命。
48.
在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。
49.
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
50.
大注入下，直接复合的载流子的寿命与非平衡载流子浓度成反比。
