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> 直接带隙
"直接带隙"相关考试题目
1.
GaAs是直接带隙结构，有两个子能谷
2.
CdTe材料属于直接带隙材料
3.
根据能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙和( )半导体
4.
下列哪种材料直接带隙的是( )。
5.
GaN材料作为直接带隙，可以制备成蓝光发光器件。
6.
以下哪几种半导体材料具有直接带隙的能带结构？
7.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
8.
简述什么是直接带隙材料
9.
直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。
10.
要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。（ ）
11.
硅是直接带隙材料
12.
以下哪个图象示意的是直接带隙？
13.
砷化镓是直接带隙材料
14.
直接带隙材料与间接带隙材料的辐射跃迁有何不同?
15.
晶体硅薄膜为直接带隙材料。
16.
下列物质属于直接带隙的有
17.
直接带隙材料发生辐射复合时________.
18.
LED晶片材料主要为直接带隙的化合物半导体材料。
19.
直接带隙和间接带隙是一样的。。
20.
晶体硅薄膜为直接带隙材料。
