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> 型杂质
"型杂质"相关考试题目
1.
P 型杂质半导体的多子是( ),其是带( )电荷。(填正或负)
2.
N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体，源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的_________-形成的，增强型管子的含义是_________。
3.
N 型杂质半导体中,空穴为 载流子,自由电子为 载流子。
4.
P型杂质半导体带正电，N型杂质半导体带负电。
5.
N型杂质半导体中的多数载流子是( )?
6.
聚氯乙烯SG1--SG6型杂质粒子数优等品（），一等品为（），合格品为（）。
7.
要得到P型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()。
8.
n型半导体费米能级EF不仅随温度变化，还随掺杂的浓度而变化，当n型杂质浓度增加，其费米能级逐渐向（ ）靠拢
9.
电渗析法制备纯水的原理是（），此法可除去（）型杂质，而不能除去（）型杂质。
10.
P型杂质半导体、N型杂质半导体的多子和少子分别是什么?
11.
在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）
12.
如何控制入仓粮食的轻型杂质含量？
13.
在室温全电离的情况下，P型半导体的掺杂浓度为，有n型杂质（）的掺入，若，在不考虑本征激发的情况下，其电中性条件为（ ）。
14.
饲料原料清理的特点，可归纳为主要清除大型杂质、严格清除（）两点。
15.
在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
16.
硅片表面污染的杂质，离子型杂质可分为（）
17.
P型杂质半导体,是通过在本征半导体中掺杂( )价元素形成的。
18.
P 型杂质半导体掺杂了 3 价元素,它的多子是( ) 。
19.
本征半导体中掺入（ ）元素可以形成P型杂质半导体。
20.
P型杂质半导体中，多数载流子是( )
21.
表征n型杂质半导体的非本征激发特性的最重要参数是( )。
22.
N 型杂质半导体中多数载流子是 _______ ,少数载流子是 _______ 。
23.
P型杂质半导体的多子是(),其杂质离子是()电荷。
24.
在 N型杂质半导体中,多数载流子是 ,少数载流子是 空穴 。
25.
N 型杂质半导体应掺入( )价元素,其多子是( )。
26.
要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）
27.
N型杂质半导体中，多数载流子是（）
28.
P 型杂质半导体中多数载流子是 _______。
29.
硅片表面污染的杂质，原子型杂质可分为（）
30.
在 N 型杂质半导体中,多数载流子是 ,少数载流子是 。
31.
N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的______形成的，增强型管子的含义是______。
32.
N型杂质半导体,是通过在本征半导体中掺杂( )价元素形成的。
33.
饲料原料清理的特点，可归纳为主要清除大型杂质、严格清除（）两点。
34.
N 型杂质半导体的多子为(); P 型杂质半导体多子为()。
35.
( )在N型硅片的一面掺入对型杂质，或在对型硅片的一面掺入N型杂质，都可以形成对N结。
36.
在 N 型杂质半导体中掺入浓度更大的 ( ) 价元素,变为 P 型半导体。
37.
P 型杂质半导体中,空穴为( )载流子,自由电子为( )载流子。
38.
要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的
39.
大样杂质和大型杂质有什么区别？
40.
P 型杂质半导体的多子是( ),其是( )电荷。(填正或负)
41.
N型杂质半导体中，多数载流子是（）
42.
N型杂质半导体是在本征 [填空(1)] 中掺入 [填空(2)] 元素形成的，其多数载流子是 [填空(3)] 。
43.
要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）
44.
P型杂质半导体，因为多子为自由电子，所以其一般带负电。（ ）
45.
在本征半导体中掺入微量的 ( ) 价元素,形成 N 型杂质半导体。
46.
要得到 N 型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的( ); 杂质半导体中的多数载流子浓度主要取 决于 ( )。
47.
如何控制入仓粮食的轻型杂质含量？
48.
P型杂质半导体,是通过在本征半导体中掺杂( )价元素形成的。
49.
聚氯乙烯SG1--SG6型杂质粒子数优等品（），一等品为（），合格品为（）。
50.
N型杂质半导体中两种载流子浓度是相等的。（ ）
