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> 再结晶晶粒
"再结晶晶粒"相关考试题目
1.
高的压缩比可以使变形渗透更完全，再结晶晶粒细化，性能较好。
2.
高的压缩比可以使变形渗透更完全，再结晶晶粒__________，性能较好。
3.
高的压缩比可以使变形渗透更完全，再结晶晶粒细化，性能较好。
4.
判断再结晶晶粒的正常长大驱动力来源于冷变形留下的存储能( )
5.
高的压缩比可以使变形渗透更完全，再结晶晶粒细化，性能较好。
6.
影响再结晶晶粒长大的因素包括
7.
临界变形度下再结晶晶粒会
8.
判断(2分)再结晶晶粒的正常长大驱动力来源于冷变形留下的存储能
9.
影响再结晶晶粒长大的因素有：
10.
再结晶晶粒异常长大的原因包括
11.
下列工艺措施中不能细化再结晶晶粒的有( )
12.
再结晶晶粒异常长大的原因包括
13.
变形度越大，再结晶晶粒越细。
14.
再结晶晶粒长大先慢，随后逐步加快
15.
再结晶晶粒尺寸与（ ）有关。
16.
再结晶晶粒的正常长大驱动力来源于冷变形留下的存储能
17.
原始晶粒越大，再结晶晶粒越大。（）
18.
影响再结晶晶粒大小的因素包括冷变形度和再结晶温度。
19.
变形度越大，再结晶晶粒越细。
20.
高的压缩比可以使变形渗透更完全，再结晶晶粒细化，性能较好。
21.
原始晶粒越大，再结晶晶粒越大。（）
