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> 带隙
"带隙"相关考试题目
1.
在Si,Ge,GaAs中,直接带隙半导体是____。
2.
锗是间接能带隙材料。
3.
GaAs具有( )带隙能带结构,GaAs的带隙为( )。
4.
si 是直接带隙半导体
5.
GaAs是直接带隙结构，有两个子能谷
6.
下列属于直接带隙半导体的是（）。
7.
砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
8.
CdTe材料属于直接带隙材料
9.
三维晶格的带隙条件,可表示为
10.
下列材料为直接带隙半导体的是?
11.
砷化镓是间接能带隙材料。
12.
硒化锑的带隙为（）。
13.
下列哪种材料直接带隙的是( )。
14.
三维晶格的带隙条件,可表示为
15.
碲化镉是直接带隙半导体。
16.
硒化锑的光学带隙为（ ）。
17.
GaN是间接带隙半导体。
18.
Si晶体是直接带隙半导体。
19.
在Si,Ge,GaAs中,间接带隙半导体是____。
20.
题目：一维声子晶体带隙结构的周期性研究
21.
简述什么是直接带隙材料
22.
绝缘体的带隙较大。
23.
硅是直接带隙材料
24.
以下哪个图象示意的是直接带隙？
25.
砷化镓是直接带隙材料
26.
半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。
27.
硅是间接能带隙材料
28.
以下不属于直接带隙半导体的是( )。
29.
直接带隙材料与间接带隙材料的辐射跃迁有何不同?
30.
硅是直接带隙半导体。
31.
下列属于间接带隙半导体的是（）。
32.
对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
33.
下列物质属于直接带隙的有
34.
GaAs属于（ ）带隙半导体，Si属于（ ）带隙半导体，Ge属于（ ）带隙半导体。
35.
GaAs是（ ）带隙半导体.
36.
带隙指的是______________的宽度
37.
半导体的带隙Eg范围是( )
38.
直接带隙和间接带隙是一样的。。
39.
简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
40.
带隙指的是()的宽度
41.
砷化镓是()带隙半导体。
42.
晶体Si是直接带隙半导体。
43.
绝缘体的带隙比导体宽。
44.
砷化镓是（ ）（填“直接”或“间接”）带隙半导体。
