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> 能带隙
"能带隙"相关考试题目
1.
硅是直接能带隙材料。
2.
锗是间接能带隙材料。
3.
能带隙的出现原因是电子波函数在周期性离子实势场中的()。
4.
发光二极管通常采用直接能带隙半导体材料
5.
以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。()
6.
半导体材料的能带隙种类(直接或间接)与发光强度有关。
7.
砷化镓是间接能带隙材料。
8.
以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。
9.
Ge在室温时,估算①电荷载流子的数目和②从价带激发到导带上的电子分数。(已知Ge的电阻率ρ=43Ω·cm,能带隙Eg=0.67eV,电子迁移率μn=3900cm2/V·s,空穴迁移率μp=1900cm2/V·s。)
10.
硅是间接能带隙材料
11.
以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。