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> 衬底偏置
"衬底偏置"相关考试题目
1.
MOS管的阈值电压受衬底偏置电压的影响，我们可以通过调节衬底电位来间接调节电路的漏电流功耗和门延时
2.
当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（ ），这称为衬底偏置效应。
3.
衬底偏置效应的本质在于衬底串联电阻引入的压降。
4.
衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
5.
场效应晶体管的开启电压只与温度有关,和衬底偏置电压无关。
6.
受衬底偏置效应的影响,MOS管的阈值电压会变大
7.
如图所示，试画出M1管栅极输入电压Vi从低电平(0V)至VDD变化过程中，输出电压Vo的变化曲线（注意衬底偏置效应的影响）
8.
以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
9.
解释衬底偏置效应
