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> 杂质扩散
"杂质扩散"相关考试题目
1.
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
2.
在半导体制造中，氮化硅Si3N4可以作为杂质扩散的掩蔽膜和钝化膜使用。
3.
快速热处理对杂质扩散有促进作用,其促进机制有哪几种?
4.
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
5.
如图所示，一高压晶闸管的P型区杂质扩散分为两步，第一次低浓度深扩散，第二次较高浓度，于是P型区的杂质分布为较高浓度区（P区）和较低浓度区（P-区），这样做的目的是（ ）。
6.
若 增加，非本征扩散与本征扩散温度的转折点会升高，表明在较高温度时，杂质扩散仍可起主要作用。
7.
图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹...
8.
理想表面是在特殊环境中经过特殊处理后获得的表面,是不存在吸附、催化反应或杂质扩散等物理、化学效应的表面。
9.
由于氮化硅膜介电常数大,所以被用作( ) A .钝化膜 B.选择氧化的掩蔽层 C.电容介质 D.杂质扩散 的掩蔽层
10.
若杂质含量增加，非本征扩散与本征扩散温度的转折点会 ，表明此时杂质扩散起主要作用。
11.
杂质在主体晶格中的扩散方式中,为什么填隙杂质比替位杂质扩散快?
12.
下面哪些因素会使杂质扩散速率提高?
13.
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
14.
影响硅片扩散后杂质扩散浓度的因素是______。
15.
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
16.
把杂质扩散到玻璃中可以增大玻璃的折射率，这就有可能造出一个后度均匀的透镜。已知圆板半径为R，厚度为d,如图所示，求沿半径变化的折射率n (r)，它会使从A点发出的光线传播到B点。假定这是个薄透镜，。
17.
氮化硅Si3N4可以作为杂质扩散的掩蔽膜和钝化膜使用。
18.
扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
19.
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
20.
有杂质原子参加的扩散，叫做杂质扩散
21.
晶体中的空位、自填隙、杂质都对杂质扩散有影响，其中空位对P、B等慢扩散杂质的影响最大。
22.
造成反常短沟道效应的原因是由于氧化扩散增强工艺,使得源漏区向沟道处发生了额外的杂质扩散。
23.
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入
24.
扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与 、 、 有关,服从 费克定律 。
25.
杂质扩散通常分为恒定表面浓度扩散,也称 预淀积 ,和固定杂质总量扩散,也称 再分布扩散 。预淀积的分布是 函数,再分布扩散的杂质呈 函数分布。
26.
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。()
27.
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
28.
扩散制结时杂质扩散浓度由表及里逐渐______。
29.
在半导体制造工艺中，实用高温热能使杂质扩散到半导体内的。
30.
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
31.
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
32.
有限源扩散,扩散时间越长,杂质扩散越深。
33.
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
34.
清洁的表面是指不存在任何吸附、催化反应、杂质扩散等物理-化学效应的表面，这种清洁的表面的化学组成与体内相同，但周期结构可以不同于体内。根据表面原子的排列，清洁的表面可以分为台阶表面，弛豫表面和（ ）。
35.
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
36.
清洁 表面指 不存在任何污染的化学纯表面,即不存在吸附、催化反应或杂质扩散等物理、化学效应的表面。
37.
下列哪些因素会使杂质扩散速率提高？
38.
以下各种中影响杂质扩散的因素有哪些
39.
图3-10(a)所示为一种测pn结结深x j 的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)x j 叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄...
40.
把杂质扩散到玻璃中可以增大玻璃的折射率，这就有可能造出一个后度均匀的透镜。已知圆板半径为R，厚度为d，如图所示，求沿半径变化的折射率n（r），它会使从A点发出的光线传播到B点。假定这是个薄透镜，d《a，d《b。
