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> 夹断电压
"夹断电压"相关考试题目
1.
如题A-54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压UpO1=UpO2=1.5V和IDSS1=2mA，IDSS2=1mA，若U1=-4V时，求两管的静态工作点(ID，UDS，UGS)。
2.
N 沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。
3.
如题A-54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压U pO1 =U pO2 =1.5V和I DSS1 =2mA，I DSS2 =1mA，若U 1 =-4V时，求两管的静态工作点(I D ，U DS ，U GS )。
4.
N沟道MOS管的夹断电压U>0, P沟道MOS管的夹断电压U<0.
5.
N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为（ ），P沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为（ ）。
6.
已知耗尽型绝缘栅场效应管3D01E的夹断电压Ucs(off)=-2.5V，饱和漏极电流，IDSS=0.5mA。试求UGS=-1V时的漏极电流ID。
7.
某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
8.
P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。
9.
某场效应管的漏极特性曲线如图所示,写 出该管的 I DSS 和夹断 电压 V P 的值。
10.
P沟道增强型IGFET的开启电压Ugs( th ))为___ (a. 正值,b. 负值,c零值),P沟道耗尽型IGFET的夹断电压Ugs(off)为___ (a. 正值,b. 负值,c. 零值)。
11.
某场效应管的漏极特性曲线如图所示,请 写出该管的 I DSS 和夹断电压 U GS ( OFF ) 的值。
12.
N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
13.
[名词解释] 内建夹断电压
14.
N沟道耗尽型场效应管的夹断电压VP为( )
15.
结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压
16.
测量某N沟道耗尽型MOSFET的漏源电压为3V、栅源电压值为-1V,其夹断电压为-2V,则该管工作在什么区域?
17.
N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压VP<0，即当VGS<VP时沟道完全夹断进入______区
18.
增强型的场效应管中存在开启电压，耗尽型的场效应管中存在夹断电压
19.
亚阈值电流指的是当栅极电压低于夹断电压或______时的漏电流。
20.
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_____ ___。
21.
电路如图所示,已知场效应管的IDSS = 4mA,夹断电压UP =–4V, VDD = 20V,静态电压UGS =–2V,该电路的静态电流ID为()。
22.
P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是（ ）。
23.
N沟道MOS管的夹断电压U>0, P沟道MOS管的夹断电压U<0.
24.
N沟道耗尽型场效应管的夹断电压VPN为______。
25.
一个场效应管转移特性如图所示，它是P沟道JFET，夹断电压为2V。
26.
什么叫场效应管的开启电压和夹断电压？
27.
增强型场效应管有夹断电压这个参数。
28.
P沟道耗尽型绝缘栅场效应管的夹断电压UGS(off)为( )。
29.
场效应晶体管的夹断电压UGS(off),指的是什么?它是哪种类型MOS管的参数?
30.
N 沟道结型场效应管的夹断电压 V GS(off) 为负值。
31.
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。
32.
P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
33.
开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
34.
已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求Ucs=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。提示:对式(1.6.3)求导数,可得。
35.
P沟道增强型绝缘栅场效应管的开启电压UGS(th)为负值 , P沟道耗尽型绝缘栅场效应管的夹断电压UGS(off)为( )。
36.
内建夹断电压
37.
夹断电压和饱和漏极电流是( )场效应管特有的参数。
38.
某场效应管的转移特性如图所示,该管的夹断电压为( )。
39.
P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）
40.
内建夹断电压
41.
场效应管的夹断电压是指的( )
42.
JFET的夹断电压VP由沟道的()和()决定。
43.
已知某耗尽型MOS管的夹断电压，饱和漏极电流，求时的漏极电流ID和跨导gm。
44.
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为____ _____。
45.
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。
46.
结型场效应管有夹断电压这个参数。
47.
某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
48.
下述哪一项是P沟道结型场效应管的夹断电压（）。
49.
N沟道结型场效应管中,栅源间电压为夹断电压时,漏极电流为零。
50.
场效晶体管开启电压和夹断电压的意义? U GS( th ) 和夹断电压 U GS( off )
