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> 抑制性突触后电位
"抑制性突触后电位"相关考试题目
1.
膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )
2.
抑制性突触后电位是指突触后膜发生( )
3.
产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是( )
4.
(胡永江)抑制性突触后电位的产生是由于后膜主要对下列哪种离子的通透性增加所致
5.
下列抑制性突触后电位产生过程的描述，哪个是不正确的
6.
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
7.
下列哪点为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位共同特征
8.
抑制性突触后电位产生的离子机制是
9.
试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
10.
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位()
11.
兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是
12.
抑制性突触后电位产生的离子机制是
13.
抑制性突触后电位表现为()。
14.
兴奋性与抑制性突触后电位相同的是
15.
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
16.
"抑制性突触后电位( )的形成机制是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的?
17.
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）
18.
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性改变所致（）
19.
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。
20.
抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
21.
突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位
22.
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
23.
抑制性突触后电位产生的离子机制是
24.
抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）
25.
产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）
26.
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
27.
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
28.
【执】抑制性突触后电位是指突触后膜出现
29.
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
30.
抑制性突触后电位产生的离子机制是
31.
引起抑制性突触后电位的是由于（）
32.
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是 （ ）
33.
产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是______
34.
抑制性突触后电位是
35.
抑制性突触后电位的特征是突触前膜释放______递质，抑制性突触后电位产生的离子基础主要是突触后膜对______离子的通透性增加。
36.
抑制性突触后电位产生是由于突触后对哪种离子通透性升高
37.
抑制性突触后电位在突触后膜上发生的电位变化为
38.
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
39.
抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?
40.
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。
41.
抑制性突触后电位的产生,是由于下列哪种离子在突触后膜的通透性增高?
42.
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
43.
发生抑制性突触后电位时，膜通透性增大的离子是( )
44.
兴奋性突触后电位是突触后膜的一种局部______极化；抑制性突触后电位是突触后膜的局部______极化。
45.
抑制性突触后电位(inhibitory postsynaptic potential，IPSP)
46.
抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加
47.
抑制性突触后电位
48.
抑制性突触后电位的产生主要与后膜对哪种离子通透性增加有关
49.
抑制性突触后电位产生的离子机制是( )。
50.
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是
